29-03-18, 02:28 PM
(Última modificación: 29-03-18, 02:35 PM por Carles20VT.)
Marca: Apple
Numero de Modelo: iPhone 6
Falla: Sin TouchID
Soluciones que NO funcionaron:
Hola compañeros!!
Tengo una placa de iPhone 6 que la adquirí con un problema en el BaseBand. No se podía activar. Después de quitar el IC de BB, hacer reballing y reinstalarlo, se pudo activar y probar el teléfono correctamente.
Lo que no funciona ahora es el TouchID. He comprobado todas las líneas y me di cuenta que el problema es que no hay señal de 3v, con lo que tampoco genera la de 1,8v, ni puede lanzar al pulsar el botón de home la señal de activación de la de 16v.
Concretamente la línea que falla es la PP3V0_MESA. Sin esa línea no funciona nada si no entendí mal leyendo los esquemas. También entendí que sale del PMIC directamente y que debería ser permanente.
Mi duda es que solución es mejor ejecutar:
a) Hacer reflow del PMIC o reballing, pero es delicado calentar esa zona. Ya he sufrido algún disgusto...
b) Hacer un jumper largo de la línea de 3v de la NAND, ya que según los esquemas son los que más mAmpers entrega. ¿Es seguro hacer esto?
Si se os ocurre alguna mejor soy todo ojos [emoji2]
Hasta pronto!!
Numero de Modelo: iPhone 6
Falla: Sin TouchID
Soluciones que NO funcionaron:
Hola compañeros!!
Tengo una placa de iPhone 6 que la adquirí con un problema en el BaseBand. No se podía activar. Después de quitar el IC de BB, hacer reballing y reinstalarlo, se pudo activar y probar el teléfono correctamente.
Lo que no funciona ahora es el TouchID. He comprobado todas las líneas y me di cuenta que el problema es que no hay señal de 3v, con lo que tampoco genera la de 1,8v, ni puede lanzar al pulsar el botón de home la señal de activación de la de 16v.
Concretamente la línea que falla es la PP3V0_MESA. Sin esa línea no funciona nada si no entendí mal leyendo los esquemas. También entendí que sale del PMIC directamente y que debería ser permanente.
Mi duda es que solución es mejor ejecutar:
a) Hacer reflow del PMIC o reballing, pero es delicado calentar esa zona. Ya he sufrido algún disgusto...
b) Hacer un jumper largo de la línea de 3v de la NAND, ya que según los esquemas son los que más mAmpers entrega. ¿Es seguro hacer esto?
Si se os ocurre alguna mejor soy todo ojos [emoji2]
Hasta pronto!!


